发明名称 一种钴基高饱和磁感应强度薄带材料及制备方法
摘要 本发明提供一种钴基高饱和磁感应强度薄带材料及制备方法,该合金薄带材料具有高的高饱和磁感应强度。该制备方法工艺简单,生产成本低,适于工业化生产。该钴基高饱和磁感应强度薄带材料中各成分的重量百分含量为:Sm 0.01%~0.05%, Ga 0.01%~0.05%,B 6%~9%,Te 0.5%~0.9% ,S 0.05%~0.09%,Al 4%~6%,Fe 1%~4%,Si 1.4%~1.9%,其余为Co。该材料的组织特点为纳米晶。
申请公布号 CN103820679B 申请公布日期 2015.10.21
申请号 CN201410075591.9 申请日期 2014.03.04
申请人 南京信息工程大学 发明人 赵浩峰;王玲;陶昭灵;郑泽昌;陆阳平;何晓蕾;潘子云;徐小雪;王贺强;赵佳玉;王冰;邱奕婷;宋超;谢艳春
分类号 C22C19/07(2006.01)I;C22C1/03(2006.01)I;H01F1/147(2006.01)I;H01F41/00(2006.01)I 主分类号 C22C19/07(2006.01)I
代理机构 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 代理人 张立荣
主权项 一种钴基高饱和磁感应强度薄带材料,其特征是:该材料中各成分的重量百分含量为:Sm 0.01%~0.05%,Ga 0.01%~0.05%,B 6%~9%,Te 0.5%~0.9%,S 0.05%~0.09%,Al 4%~6%,Fe 1%~4%,Si 1.4%~1.9%,其余为Co;所得合金带的厚度为200‑350μm,宽度为3‑5mm。
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