| 发明名称 | 基于蓝宝石衬底的氧化镓薄膜及其生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的氧化镓薄膜及其生长方法，主要解决现有氧化镓薄膜的表面形貌差和晶粒尺寸小的问题。该氧化镓薄膜包括蓝宝石衬底(1)和氧化镓外延层(3)，其特征在于：蓝宝石衬底(1)与氧化镓外延层(3)之间设有7-12nm的氧化镓缓冲层(2)，并利用热退火提高氧化镓缓冲层的结晶质量。本发明降低了Ga2O3薄膜表面的粗糙度，改善了Ga2O3薄膜的表面形貌，增大了Ga2O3晶粒尺寸，可用于制作半导体功率器件。 | ||
| 申请公布号 | CN104988579A | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201510397660.2 | 申请日期 | 2015.07.08 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 冯倩;李付国;代波;谢文林;徐通;郝跃 |
| 分类号 | C30B25/18(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人 | 王品华;朱红星 |
| 主权项 | 基于蓝宝石衬底的氧化镓薄膜，包括蓝宝石衬底(1)和氧化镓外延层(3)，其特征在于：蓝宝石衬底(1)与氧化镓外延层(3)之间设有7‑12nm的氧化镓缓冲层(2)。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||