| 发明名称 | 碳化硅半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种碳化硅半导体器件(101)，包括碳化硅衬底(10)、主电极(52)、第一阻挡层(70a)以及互连层(60)。主电极(52)直接设置在碳化硅衬底(10)上。第一阻挡层(70a)设置在主电极(52)上且由不包含铝的导电材料制成。互连层(60)设置在第一阻挡层(70a)上，通过第一阻挡层(70a)与主电极(52)隔开，且由包含铝的材料制成。 | ||
| 申请公布号 | CN104995739A | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201480008928.2 | 申请日期 | 2014.02.04 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 山田俊介;堀井拓;木岛正贵 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种碳化硅半导体器件，包括：碳化硅衬底；主电极，所述主电极直接设置在所述碳化硅衬底上；第一阻挡层，所述第一阻挡层设置在所述主电极上，所述第一阻挡层由不包含铝的导电材料制成；以及互连层，所述互连层设置在所述第一阻挡层上，所述互连层通过所述第一阻挡层与所述主电极隔开，所述互连层由包含铝的材料制成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||