发明名称 LINE WIDTH ROUGHNESS CONTROL WITH ARC LAYER OPEN
摘要 <p>상술한 바를 달성하고 본 목적의 목적에 따라서, 패터닝된 마스크 아래의 반사방지 코팅 (ARC) 층 아래에 배치된 에칭 층을 에칭하는 방법이 제공된다. ARC 층이 개방되고, 패터닝된 마스크를 통해 에칭 층으로 피쳐가 에칭된다. ARC 층을 개방하는 단계는 (1) 할로겐 함유 가스, COS 및 산소 함유 가스를 포함하는 ARC 개방 가스를 제공하는 단계, (2) ARC 층을 개방하기 위해서 ARC 개방 가스로부터 플라즈마를 형성하는 단계, 및 (3) 플라즈마를 중단시키기 위해서 ARC 개방 가스의 제공을 중단하는 단계를 포함한다. 이 패터닝된 마스크는 라인-공간 패턴을 갖는 포토레지시트 (PR) 마스크일 수도 있다. ARC 개방 가스 내 COS는 에칭 층의 패터닝된 피쳐의 라인 폭 거칠기 (LWR) 를 감소시킨다.</p>
申请公布号 KR101562408(B1) 申请公布日期 2015.10.21
申请号 KR20107009128 申请日期 2008.09.15
申请人 发明人
分类号 H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/32 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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