发明名称 | 用于真空处理腔室的射频脉冲功率匹配的方法及其装置 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI505320 | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
申请号 | TW103100720 | 申请日期 | 2014.01.08 |
申请人 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 发明人 | 黄智林;席朝晖;叶如彬;徐蕾 |
分类号 | H01J37/32 | 主分类号 | H01J37/32 |
代理机构 | 代理人 | 林志青 台北市信义区松隆路102号18楼之1 | |
主权项 | 一种用于真空处理腔室的射频脉冲功率匹配的方法,所述真空处理腔室具有两个射频脉冲信号发生器连接至其下电极,该方法包括以下步骤:A、预设第一射频脉冲信号发生器中的第一反射功率标准值及第二射频脉冲信号发生器中的第二反射功率标准值,并预设射频频率扫描范围△f;B、循环获取第一射频频率为f1时的第一射频脉冲信号发生器的反射功率,扫描第一射频脉冲信号发生器的射频频率范围内最低反射功率,将最低反射功率所对应的射频频率f1’的频率值赋予f1,直到反射功率小于或等于第一反射功率标准值;C、循环获取第二射频频率为f2时的第二射频脉冲信号发生器的反射功率,扫描第二射频脉冲信号发生器的射频频率范围内最低反射功率,将最低反射功率所对应的射频频率f2’的频率值赋予f2,直到反射功率小于或等于第二反射功率标准值;以及D、储存第一射频脉冲信号发生器中的射频频率f1及第二射频脉冲信号发生器中的射频频率f2。 | ||
地址 | 中国 |