发明名称 多光束干涉光刻辅助曝光装置
摘要 本发明公开了一种多光束干涉光刻辅助曝光装置,包括底座、光阑吸附底座、辅助曝光光阑、基片旋转台,所述光阑吸附底座、基片旋转台设置在底座上,所述辅助曝光光阑设置在光阑吸附底座上,所述辅助曝光光阑上设置有开孔,所述基片旋转台上设置有第一读数指针,并且所述基片旋转台靠近光阑吸附底座的侧面设置有基片吸盘,所述基片吸盘中心设置有抽气孔。本发明结构简单合理,便于基片安装调整,能够实现基片不同位置的单、多次曝光,提高多次曝光的重合度,调整无需碰触基片,减少基片污损概率,辅助曝光光阑更换方便,适用于不同的需求。
申请公布号 CN104991426A 申请公布日期 2015.10.21
申请号 CN201510491702.9 申请日期 2015.08.12
申请人 西安工业大学 发明人 张锦;马丽娜;蒋世磊;孙国斌;杭凌侠;弥谦
分类号 G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 代理人 黄秦芳
主权项 一种多光束干涉光刻辅助曝光装置,其特征在于,该装置包括底座(1)、光阑吸附底座(2)、辅助曝光光阑(3)、基片旋转台(9)所述光阑吸附底座(2)、基片旋转台(9)设置在底座(1)上,所述辅助曝光光阑(3)设置在光阑吸附底座(2)上,所述辅助曝光光阑(3)上设置有开孔(4),所述基片旋转台(9)上设置有第一读数指针(5),并且所述基片旋转台(9)靠近光阑吸附底座(2)的侧面设置有基片吸盘(7),所述基片吸盘(7)中心设置有抽气孔(8)。
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