| 发明名称 | 半导体器件的应变结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的应变结构。半导体器件的示例性结构包括具有主表面的衬底；在衬底的主表面上的栅极堆叠件；设置在栅极堆叠件一侧的浅沟槽隔离件(STI)；以及被应变结构填充的腔，该腔分布在栅极堆叠件和STI之间，其中腔包括一个由STI形成的侧壁，一个由衬底形成的侧壁和由衬底形成的底面，其中应变结构包括SiGe层和与STI的侧壁邻接的第一应变膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103107195B | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201210026834.0 | 申请日期 | 2012.02.07 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 吴政宪;柯志欣;万幸仁 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括主表面；位于所述衬底的所述主表面上的栅极堆叠件；设置在所述栅极堆叠件一侧的浅沟槽隔离件，其中所述浅沟槽隔离件在所述衬底中；以及被应变结构填充的腔，所述腔分布在所述栅极堆叠件和所述浅沟槽隔离件之间，其中所述腔包括一个由所述浅沟槽隔离件形成的侧壁，一个由所述衬底形成的侧壁和由所述衬底形成的底面，其中，所述应变结构包括SiGe层和与所述浅沟槽隔离件的侧壁邻接的第一应变膜，所述第一应变膜将所述SiGe层与所述浅沟槽隔离件隔离。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||