| 发明名称 | 8～14μm波段选择性低发射率的红外隐身薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种8～14μm波段选择性低发射率的红外隐身薄膜，该薄膜可对光谱的发射辐射进行调控，实现在8.0μm～14.0μm的红外窗口波段的低发射率，其他波段实现高发射率；该薄膜具有多层膜结构，主要由高折射率Ge材料层和低折射率ZnS材料层交替叠加而成。该薄膜的制备方法包括：先进行衬底的清洗；然后采用射频磁控溅射的方法在衬底表面交替镀上高折射率Ge材料层和低折射率ZnS材料层；溅射镀层时适当控制衬底温度、射频溅射功率和溅射时间即可。本发明针对常温条件下8.0μm～14.0μm波段的发射辐射的调制，可以解决红外隐身带来的隐身与散热的兼容性问题，具有工艺简单、重复性好、设备要求低等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN104991291A | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201510362417.7 | 申请日期 | 2015.06.26 |
| 申请人 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 发明人 | 彭亮;程海峰;李俊生;郑文伟;周永江;刘海韬;张朝阳 |
| 分类号 | G02B1/10(2015.01)I;B32B19/00(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | G02B1/10(2015.01)I |
| 代理机构 | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人 | 杨斌 |
| 主权项 | 一种8～14μm波段选择性低发射率的红外隐身薄膜，其特征在于，所述红外隐身薄膜能对光谱的发射辐射进行调控，实现在8.0μm～14.0μm的红外窗口波段的低发射率，其他波段实现高发射率；所述红外隐身薄膜具有多层膜结构，主要由高折射率Ge材料层和低折射率ZnS材料层交替叠加而成。 | ||
| 地址 | 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号 | ||