发明名称 逻辑电路和半导体器件
摘要 逻辑电路包括:薄膜晶体管,具有使用氧化物半导体所形成的沟道形成区;以及具有端子的电容器,通过使薄膜晶体管截止来使端子之一进入浮动状态。氧化物半导体具有5×10<sup>19</sup>(原子/cm<sup>3</sup>)或更小的氢浓度,并且因此在没有生成电场的状态中实质上用作绝缘体。因此,薄膜晶体管的截止状态电流能够降低,从而引起抑制通过薄膜晶体管的电容器中存储的电荷的泄漏。相应地,能够防止逻辑电路的故障。此外,能够通过薄膜晶体管的截止状态电流的降低,来降低逻辑电路中流动的过量电流,从而导致逻辑电路的低功率消耗。
申请公布号 CN104992980A 申请公布日期 2015.10.21
申请号 CN201510217808.X 申请日期 2010.09.24
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 山崎舜平;小山润;津吹将志;野田耕生
分类号 H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 易皎鹤;姜甜
主权项 一种半导体器件,包括:晶体管,包括第一端子和第二端子;以及移位寄存器,包括输出端子,所述输出端子电连接到所述晶体管的所述第一端子和所述第二端子中的一个,其中,所述第一端子和所述第二端子中的另一个电连接到电容器,其中,所述晶体管的沟道形成区包括氧化物半导体,其中,80%或以上的所述氧化物半导体被晶化,以及其中,所述晶体管中的所述氧化物半导体的载流子密度是5×10<sup>14</sup>/cm<sup>3</sup>或更小。
地址 日本神奈川县厚木市