一种磁隧道结单元及其制备方法

摘要

本发明公开了一种磁隧道结单元及其制备方法，具体为，通过在磁隧道结的磁性层薄膜中插入一层极薄的金属层，形成磁性层/金属层/磁性层的结构，该金属插层的厚度为0.5nm～2nm，通过人为地增加磁性层中的界面数，大大强化了界面垂直磁各向异性，客观上提高了整个膜层结构垂直磁各向异性。本发明通过特定种类和厚度的金属层的扩散作用以及磁性层/金属层之间的界面作用有效地提高了磁性层薄膜的垂直各向异性，同时也增加了垂直取向较好的磁性层薄膜的厚度，为工业界垂直各向异性MTJ单元及器件的制备提供了新的突破。

主权项

一种磁隧道结单元，包括衬底，附着于所述衬底上的参考层，附着于所述参考层上的势垒层以及附着于所述势垒层上的自由层；其特征在于，所述参考层和所述自由层的结构相同，均包括第一磁性层、金属层和第二磁性层；通过所述金属层强化第一磁性层和第二磁性层中的界面垂直各向异性，提高磁隧道结单元的垂直磁各向异性。