| 发明名称 | 一种大面积纳米阵列的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种大面积纳米阵列的制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，采用低能离子束辐射所述衬底的表面，形成锯齿状纳米结构周期阵列；然后，采用沉积工艺在所述锯齿状纳米结构周期阵列的一侧沉积材料层，形成纳米结构阵列。本发明制备纳米阵列只需要两步，使传统制备纳米阵列的工艺大大简化。采用本发明的制备方法，可以快捷地得到有序纳米阵列，而不是散乱的纳米线或纳米管等，有利于进一步实现纳米器件的制备。此外，该方法可以在整片衬底上都产生纳米阵列结构，从而实现大面积的纳米阵列结构的制备，降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104986728A | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201510274630.2 | 申请日期 | 2015.05.26 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心 | 发明人 | 欧欣;贾棋;斯蒂芬·福斯柯;王曦 |
| 分类号 | B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 一种大面积纳米阵列的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：提供一衬底，采用低能离子束辐射所述衬底的表面，形成锯齿状纳米结构周期阵列；采用沉积工艺在所述锯齿状纳米结构周期阵列的一侧沉积材料层，形成纳米结构阵列。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||