发明名称 |
一种氮化硅结合碳化硅耐火材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种氮化硅结合碳化硅耐火材料及其制备方法。其技术方案是:以45~89wt%的碳化硅、10~50wt%的单质硅粉和0.1~5wt%的铬粉为原料,外加所述原料3~9wt%的结合剂,搅拌均匀,压制成型,成型后的坯体在110℃条件下干燥10~48小时;干燥后的坯体在氮气气氛中,以2~10℃/min的速率升温至1300~1400℃,保温2~20小时,随炉自然冷却,即得氮化硅结合碳化硅耐火材料。本发明的制备方法具有反应温度低、反应完全和产业化前景大的特点,所制备的氮化硅结合碳化硅耐火材料气孔率小、强度高、抗热震性好、抗侵蚀性优异和寿命长。 |
申请公布号 |
CN104987097A |
申请公布日期 |
2015.10.21 |
申请号 |
CN201510459198.4 |
申请日期 |
2015.07.30 |
申请人 |
武汉科技大学 |
发明人 |
梁峰;张海军;张少伟;鲁礼林;李发亮;段红娟;刘江昊 |
分类号 |
C04B35/66(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/66(2006.01)I |
代理机构 |
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 |
代理人 |
张火春 |
主权项 |
一种氮化硅结合碳化硅耐火材料的制备方法,其特征在于以45~89wt%的碳化硅、10~50wt%的单质硅粉和0.1~5wt%的铬粉为原料,外加所述原料3~9wt%的结合剂,搅拌均匀,压制成型,成型后的坯体在110℃条件下干燥10~48小时;干燥后的坯体在氮气气氛中,以2~10℃/min的速率升温至1300~1400℃,保温2~20小时,随炉自然冷却,即得氮化硅结合碳化硅耐火材料。 |
地址 |
430081 湖北省武汉市青山区建设一路 |