SONOS存储器的制作工艺方法

摘要

本发明公开了一种SONOS存储器的制作工艺方法，其单元结构的制作工艺包括如下步骤：形成存储单元管的ONO层和选择管的栅氧化硅层；淀积多晶硅层并进行光刻刻蚀形成多晶硅栅；进行HF湿法腐蚀工艺去除多晶硅栅外的氧化硅并在多晶硅栅边缘底部形成下切口；进行热氧化工艺使多晶硅栅底部边缘处的栅介质厚度增加；进行HALO离子注入以及LDD离子注入；利用ONO层的底部两层的阻挡作用使存储单元管的LDD掺杂浓度减小。本发明能降低漏电、提高可靠性，具有较低成本。

主权项

一种SONOS存储器的制作工艺方法，SONOS存储器的单元结构包括一个存储单元管和一个选择管，其特征在于，SONOS存储器的单元结构的制作工艺包括如下步骤：步骤一、提供一硅衬底，在所述存储单元管的形成区域形成ONO层，在所述选择管的形成区域形成栅氧化硅层；所述ONO层由依次形成于所述硅衬底表面的第一氧化硅层、第二氮化硅层和第三氧化硅层组成；步骤二、淀积多晶硅层，对所述多晶硅层进行光刻刻蚀形成所述存储单元管的第一多晶硅栅和所述选择管的第二多晶硅栅；步骤三、进行HF湿法腐蚀工艺，该HF湿法腐蚀工艺将所述存储单元管的形成区域的所述第一多晶硅栅外的所述第三氧化硅层去除并且被去除的所述第三氧化硅层还横向延伸到所述第一多晶硅栅的底部并在所述第一多晶硅栅底部边缘形成第一下切口结构；该HF湿法腐蚀工艺将所述选择管的形成区域的所述第二多晶硅栅外的所述栅氧化硅层去除并且被去除的所述栅氧化硅层还横向延伸到所述第二多晶硅栅的底部并在所述第二多晶硅栅底部边缘形成第二下切口结构；步骤四、进行热氧化工艺，所述热氧化工艺使所述第一下切口结构区域的所述第一多晶硅栅被氧化使得所述第一多晶硅栅的边缘底部的所述ONO层厚度增加；所述热氧化工艺使所述第二下切口结构区域的所述第二多晶硅栅被氧化使得所述第二多晶硅栅的边缘底部的所述栅氧化硅层厚度增加；所述热氧化工艺还将所述选择管的形成区域的所述第二多晶硅栅外的所述硅衬底表面氧化；步骤五、对所述存储单元管和所述选择管同时进行HALO离子注入以及同时进行LDD离子注入；在所述LDD离子注入过程中，利用所述存储单元管的形成区域的第一多晶硅栅外保留的所述第一氧化硅层和所述第二氮化硅层的阻挡作用使所述存储单元管的LDD掺杂浓度减小并小于所述选择管的LDD掺杂浓度。