发明名称 用以改善磁隧道结元件短路的不连续镁插入层
摘要 本发明公开了一种具有不连续镁或镁合金层的磁隧道结元件,其厚度为1~3埃并于下自旋阀配置中设置于自由层以及覆盖层之间,不连续镁层可用以阻挡于覆盖层的导体材料,由自由层扩散进入穿隧阻障层,来避免导体信道的型态的发生,进而避免穿隧阻障层的绝缘阵列产生短路;如此一来,磁阻率对应阻抗图式中的下尾部的百分比可最小化,尤其是经过高温退火过程,更能使磁隧道结阵列中的磁隧道结元件的效能大幅提高;从而不连续层可通过低功率物理气相沉积来形成。
申请公布号 CN104995685A 申请公布日期 2015.10.21
申请号 CN201480008660.2 申请日期 2014.01.06
申请人 海德威科技公司 发明人 森山贵広;王郁仁;童儒颖
分类号 G11C11/16(2006.01)I 主分类号 G11C11/16(2006.01)I
代理机构 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人 孙皓晨
主权项 一种磁隧道结元件,其特征在于,包含:(a)一自由层,具有垂直磁性异向性,并接触于一穿隧阻障层的一上表面;(b)一覆盖层,为该磁隧道结元件的最上层;以及(c)一不连续镁或镁合金插入层,形成于该自由层以及该覆盖层之间,其中,该镁合金插入层中的金属为钽、钛、钒、钼、锆、铪、铂、钯、钨、铌、铑、钌、铜、铬或铱,且含量低于整体合金的5原子百分比。
地址 美国加利福尼亚州密尔必达市山景道678号