主权项 |
一种InSb晶片与Si晶片键合的方法,其特征在于,包括:步骤A,将至少单面抛光的InSb晶片和Si晶片在有机溶剂中分别进行高温超声煮洗,而后用去离子水清洗;步骤B,将所述Si晶片置于酸溶液中煮洗,而后用去离子水冲洗;步骤C,将所述Si晶片置于碱溶液中煮洗,而后用去离子水冲洗;步骤D,对InSb晶片和Si晶片进行兆声清洗,清洗时间介于3~5min;步骤E,将InSb晶片和Si晶片各自的抛光面向内进行贴合,而后将贴合后的两晶片置于真空键合机内进行热处理,以完成InSb晶片和Si晶片的键合,包括:子步骤E1,将贴合后的两晶片置于真空键合机内,通过施力装置给两晶片施加压力;子步骤E2,在真空环境下,保持两晶片的轴向压力,将两晶片在30~90℃的温度环境下进行键合;子步骤E3,升温,保持两晶片的轴向压力,将两晶片在120~200℃的温度环境下进行键合;子步骤E4,升温,保持两晶片的轴向压力,将两晶片在300~350℃的温度环境下进行键合;子步骤E5,降温,将键合后的两晶片从真空键合机中取出;其中,所述子步骤E2、子步骤E3和E4的升温、步骤E5的降温步骤中,升/降温的速率介于0.2~0.5℃/分钟之间。 |