一种抗单粒子效应的带隙基准

摘要

一种抗单粒子效应的带隙基准，有栅极相连的第一PMOS管M1、第二PMOS管M2和第三PMOS管M3，基极与集电极都接地的第一三极管Q1、第二三极管Q2和第三三极管Q3，以及运算放大器F，M1管、M2管和M3管的源极分别连接电源VDD，M1管的漏极和第一三极管Q1的发射极均连接运算放大器F的反相输入端，M2管的漏极连接运算放大器F的同相输入端，第二三极管Q2的发射极通过电阻R1连接运算放大器F的同相输入端，M3管的漏极构成带隙基准输出端V_out，第三三极管Q3的发射极通过电阻R2连接M3管的漏极，运算放大器F的同相输入端Y连接辅助电路。本发明减小了单粒子效应的影响，可应用于太空等辐射条件下。

主权项

一种抗单粒子效应的带隙基准，包括：栅极相互连接的第一PMOS管(M1)、第二PMOS管(M2)和第三PMOS管(M3)，基极与集电极都接地的第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)和第三三极管(Q3)，以及运算放大器(F)，其中，所述第一PMOS管(M1)、第二PMOS管(M2)和第三PMOS管(M3)的源极分别连接电源(VDD)，所述第一PMOS管(M1)的漏极和第一三极管(Q1)的发射极均连接运算放大器(F)的反相输入端(X)，所述第二PMOS管(M2)的漏极连接运算放大器(F)的同相输入端(Y)，所述第二三极管(Q2)的发射极通过电阻(R1)连接运算放大器(F)的同相输入端，所述第三PMOS管(M3)的漏极构成带隙基准输出端(V_out)，所述第三三极管(Q3)的发射极通过电阻(R2)连接第三PMOS管(M3)的漏极，其特征在于，所述的运算放大器(F)的同相输入端(Y)连接用来实现受到单粒子效应时的分流电流的辅助电路(B)，所述的辅助电路(B)包括有第一NMOS管(M4)、第二NMOS管(M5)和第四PMOS管(M6)，其中，所述的第一NMOS管(M4)、第二NMOS管(M5)的发射极接地，所述的第一NMOS管(M4)、第二NMOS管(M2)的栅极相连，该相连点还连接第二NMOS管(M5)的漏极与第四PMOS管(M6)的漏极的连接点，第一NMOS管(M4)的漏极连接所述的运算放大器(F)的同相输入端(Y)，所述第四PMOS管(M6)的栅极和发射极连接电源(VDD)。