发明名称 |
掺杂金属卤化物的有机空穴传输层、其制备方法及应用 |
摘要 |
本发明涉及一种掺杂金属卤化物的有机空穴传输层的制备方法,包括:机空穴传输材料与有机溶剂混合配制成有机空穴传输材料溶液;金属卤化物与有机溶剂混合配制成金属卤化物掺杂剂溶液;有机空穴传输材料溶液与金属卤化物掺杂剂溶液混合形成混合溶液;混合溶液旋涂于基底上,加热烘干后即得到空穴传输层。本发明还公开了利用上述方法制备的有机空穴传输层及具有该有机空穴传输层的太阳能电池。本发明制备方法简单,制备的有机空穴传输层不但载流子的数量增加并明显提高了空穴迁移率和电导率,而且改变了空穴传输材料的能带位置而具有更好的光电性能,在染料敏化太阳能电池、有机太阳能电池、有机无机杂化太阳能电池等器件中具有良好的应用前景。 |
申请公布号 |
CN103236501B |
申请公布日期 |
2015.10.21 |
申请号 |
CN201310078925.3 |
申请日期 |
2013.03.13 |
申请人 |
华中科技大学 |
发明人 |
韩宏伟;徐觅;李雄;刘广辉;汪恒;荣耀光;库治良;刘林峰 |
分类号 |
H01L51/48(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/48(2006.01)I |
代理机构 |
华中科技大学专利中心 42201 |
代理人 |
李佑宏 |
主权项 |
一种掺杂金属卤化物的有机空穴传输层的制备方法,以用于制备太阳能电池,其特征在于,该方法具体包括:将有机空穴传输材料与有机溶剂混合配制成有机空穴传输材料溶液的步骤,其中该有机空穴传输材料为P3HT、spiro‑OMeTAD、聚3‑辛基噻吩、P3OT、聚3,4‑乙撑二氧噻吩、PEDOT和TPD中至少一种;将金属卤化物与有机溶剂混合配制成金属卤化物掺杂剂溶液的步骤,其中该金属卤化物为四氯化锡;将有机空穴传输材料溶液与金属卤化物掺杂剂溶液混合形成混合溶液的步骤,其中所述金属卤化物掺杂到有机空穴传输材料中的掺杂浓度按质量分数在1%到50%之间;以及将混合溶液旋涂于基底上,加热烘干后即得到所述的空穴传输层的步骤。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |