一种高开路电压多晶太阳能电池片的制备方法

摘要

本发明涉及一种高开路电压的多晶太阳能电池片的制备方法。扩散过程采用变温沉积高温推结工艺，并且印刷正极过程中的正极印刷图形采用90根细栅的密栅设计。变温沉积就是将温度升高至860℃，在升温过程中对硅片进行10min的变温沉积，通入大N₂、O₂和小N₂的混合气体，小N₂比例以体积百分计为7%；高温推结是在860℃维持温度稳定，停止通小N₂，通入大N₂、O₂进行杂质再分布，控制时间再17min，O₂比例以体积百分计为15%。本发明方法使硅片的方块电阻控制在90-95Ω/□，相比一次恒温沉积扩散可以在不增加成本的情况下使生产的多晶太阳能电池获得高的开路电压。

主权项

一种高开路电压多晶太阳能电池片的制备方法，包括制绒、扩散、湿法刻蚀、PE镀膜、烘干、印刷背场、烘干、印刷背极、印刷正极、烧结和测试分选过程，所述扩散过程采用变温沉积高温推结工艺，并且所述的印刷正极的印刷图形采用90根细栅的密栅设计；其特征在于：所述变温沉积高温推结工艺是采用液态POCl₃磷源，在对硅片进行预氧后，先在较低温度下进行有源扩散化，再进行变温有源扩散，然后在更高的温度进行有氧沉积，具体步骤如下：⑴预氧化：对硅片在800℃进行13min的预氧化，O₂比例以体积百分计为10%；⑵低温沉积：在800℃对硅片进行10‑20min的低温沉积，通入大N₂、O₂和小N₂的混合气体，小N₂比例以体积百分计为7%；⑶变温沉积：将温度升高至860℃，在升温过程中对硅片进行10min的变温沉积，通入大N₂、O₂和小N₂的混合气体，小N₂比例以体积百分计为7%；⑷高温推结：在860℃维持温度稳定，停止通小N₂，通入大N₂、O₂进行杂质再分布，控制时间再17min，O₂比例以体积百分计为15%；⑸冷却：将温度由860℃降至800℃，时间10min，停止通小N₂、O₂，仅通大N₂。