| 发明名称 | 压膜式芯片内埋的超薄封装结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种压膜式芯片内埋的超薄封装结构及其制造方法，所述结构包括基板（1），所述基板（1）上贴装有元器件（2）和芯片（3），所述芯片（3）正面与基板（1）正面之间通过焊线（4）相连接，所述基板（1）正面设置有一层绝缘性薄膜（5），所述绝缘性薄膜（5）覆盖于元器件（2）、芯片（3）和焊线（4）外围区域。本发明一种压膜式芯片内埋的超薄封装结构及其制造方法，它通过压膜技术实现超密间隙的填充，并可通过调整不同厚度的薄膜及配合薄膜刷膜减薄工艺，实现压模式芯片内埋的超薄封装。 | ||
| 申请公布号 | CN104992933A | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201510272031.7 | 申请日期 | 2015.05.26 |
| 申请人 | 江苏长电科技股份有限公司 | 发明人 | 王孙艳;王亚琴 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01)I;H01L23/49(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 | 代理人 | 唐纫兰 |
| 主权项 | 一种压膜式芯片内埋的超薄封装结构，其特征在于：它包括基板（1），所述基板（1）上贴装有元器件（2）和芯片（3），所述芯片（3）正面与基板（1）正面之间通过焊线（4）相连接，所述基板（1）正面设置有一层绝缘性薄膜（5），所述绝缘性薄膜（5）覆盖于元器件（2）、芯片（3）和焊线（4）外围区域。 | ||
| 地址 | 214434 江苏省无锡市江阴市澄江镇长山路78号 | ||