一种降低硅片表面光反射率的方法

摘要

本发明公开了一种降低硅表面光反射率的方法，该方法包括如下步骤：步骤1：将硅片浸入氢氟酸与含有Ag离子、Cu离子、Ni离子或Mg离子的盐的混合溶液中进行刻蚀；以及步骤2：将刻蚀后的硅片放入硝酸或者王水中清洗以去除表面的金属覆盖物,所得到的硅片的表面为纳米多孔结构；其中，所述的氢氟酸的浓度为0.5mol/L—10mol/L，所述含有Ag离子、Cu离子、Ni离子或Mg离子的盐的浓度为0.01mol/L—0.5mol/L，所述的刻蚀的深度为100nm—2μm。该方法工艺简单，成本低廉，操作方便，应用条件广泛，不需要复杂的工艺，而且只需要一步就能将硅片的平均光反射率降低到5％以下，适合于大规模的工业生产。

主权项

一种降低硅片表面光反射率的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将硅片浸入氢氟酸与含有Ag离子、Cu离子、Ni离子或Mg离子的盐的混合溶液中进行刻蚀；以及步骤2：将刻蚀后的硅片放入硝酸或者王水中清洗以去除表面的金属覆盖物,所得到的硅片的表面为纳米多孔结构；其中，所述的氢氟酸的浓度为0.5mol/L—10mol/L，所述含有Ag离子、Cu离子、Ni离子或Mg离子的盐的浓度为0.01mol/L—0.5mol/L，所述的刻蚀的深度为100nm—2μm。