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发明名称
Method of fabricating the Semiconductor device
摘要
<p>반도체 소자 및 그 제조 방법이 제공된다. 이 방법에 따르면, 기판 상에 패턴을 형성하고, 패턴 상에 캡핑 유전막을 형성하고, 상기 캡핑 유전막에 질소를 공급하는 질화 공정을 수행하여 확산 베리어막이 형성된다.</p>
申请公布号
KR101562020(B1)
申请公布日期
2015.10.21
申请号
KR20100015841
申请日期
2010.02.22
申请人
发明人
分类号
H01L21/8247;H01L27/115
主分类号
H01L21/8247
代理机构
代理人
主权项
地址
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