发明名称 Method of fabricating the Semiconductor device
摘要 <p>반도체 소자 및 그 제조 방법이 제공된다. 이 방법에 따르면, 기판 상에 패턴을 형성하고, 패턴 상에 캡핑 유전막을 형성하고, 상기 캡핑 유전막에 질소를 공급하는 질화 공정을 수행하여 확산 베리어막이 형성된다.</p>
申请公布号 KR101562020(B1) 申请公布日期 2015.10.21
申请号 KR20100015841 申请日期 2010.02.22
申请人 发明人
分类号 H01L21/8247;H01L27/115 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
地址