| 发明名称 | 硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法、成膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法、成膜装置。本发明涉及在基板上层叠硅氧化物膜与硅氮化物膜的硅氧化物和硅氮化物膜的层叠方法，在成膜硅氮化物膜的气体中添加硼。 | ||
| 申请公布号 | CN102737957B | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201210090806.5 | 申请日期 | 2012.03.30 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 远藤笃史;黑川昌毅;入宇田启树 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法，其特征在于，其为在基板上层叠硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法，(1)将用于形成所述硅氧化物膜和所述硅氮化物膜的层叠膜的多个基板以保持这些基板各自的侧部的状态容纳到处理室中，(2)在成膜所述硅氧化物膜时，向所述处理室中供给硅氧化物原料气体和氧化剂，且成膜所述硅氧化物膜的成膜温度为550‑700℃，(3)在成膜所述硅氮化物膜时，向所述处理室中供给硅原料气体、氮化剂和含硼气体，且成膜所述硅氮化物膜的成膜温度为600‑800℃，(4)重复所述(2)的步骤和所述(3)的步骤，在所述多个基板各自的表面和背面上形成所述硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠膜，所述硅氮化物膜是由Si<sub>a</sub>B<sub>b</sub>N<sub>c</sub>形成的膜，所述Si<sub>a</sub>B<sub>b</sub>N<sub>c</sub>的原子组成比被控制在a＝25～17原子％、b＝22～32原子％、c＝53～51原子％的范围。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||