| 发明名称 | 声波器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了声波器件。一种声波器件包括：基板；形成在所述基板上的下电极；形成在所述下电极上的至少两个压电膜；位于所述至少两个压电膜之间的绝缘膜；以及形成在所述至少两个压电膜上的上电极，其中，在所述下电极和所述上电极彼此面对的区域中，所述至少两个压电膜中的最上面的压电膜的外周比所述上电极的外周更靠内。 | ||
| 申请公布号 | CN102931942B | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201210282502.9 | 申请日期 | 2012.08.09 |
| 申请人 | 太阳诱电株式会社 | 发明人 | 谷口真司;西原时弘;上田政则;横山刚;坂下武 |
| 分类号 | H03H9/25(2006.01)I | 主分类号 | H03H9/25(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;王伶 |
| 主权项 | 一种声波器件，该声波器件包括：基板；形成在所述基板上的下电极；形成在所述下电极上的至少两个压电膜；位于所述至少两个压电膜之间的绝缘膜；以及形成在所述至少两个压电膜上的上电极，其中，所述下电极与所述上电极彼此面对的区域中的所述至少两个压电膜中的最上面的压电膜的外周比所述上电极的外周更靠内，其中：在所述最上面的压电膜的外周比所述上电极的外周更靠内的区域中，所述至少两个压电膜中的最下面的压电膜的外周比所述上电极的外周更靠外；以及在所述下电极和所述上电极之间没有形成任何电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||