发明名称 具有宽温工作增益自动控制功能的CMOS射频接收前端
摘要 本发明公开了一种具有宽温工作增益自动控制功能的CMOS射频接收前端,其包括射频单端-差分转换电路、本振单端-差分转换电路、吉尔伯特(Gilbert)混频电路、可变增益放大器、输出驱动电路、基于带隙基准源的电流偏置电路、增益自动控制电路。射频单端-差分转换电路、本振单端-差分转换电路分别将输入的单端接收信号和本振信号转换为差分信号,驱动Gilbert混频电路的差分输出接到可变增益放大器,然后通过输出驱动电路进行差分-单端转换,最后中频输出。电流偏置电路输出五路基准电流I<sub>ref1</sub>~I<sub>ref5</sub>,分别送至Gilbert混频电路、可变增益放大器、输出驱动电路、增益自动控制电路的尾电流管电路进行电流偏置。
申请公布号 CN103647565B 申请公布日期 2015.10.21
申请号 CN201310682934.3 申请日期 2013.12.13
申请人 中国电子科技集团公司第三十八研究所 发明人 段宗明;李智群;王曾祺;王晓东;马强
分类号 H04B1/16(2006.01)I;H04W52/52(2009.01)I;H03G3/30(2006.01)I 主分类号 H04B1/16(2006.01)I
代理机构 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 代理人 丁瑞瑞
主权项 具有宽温工作增益自动控制功能的CMOS射频接收前端,其用于在宽温工作条件下CMOS射频接收前端芯片增益自动控制技术的实现,该具有宽温工作增益自动控制功能的CMOS射频接收前端包括射频单端‑差分转换电路、本振单端‑差分转换电路、吉尔伯特(Gilbert)混频电路、可变增益放大器、输出驱动电路、基于带隙基准源的电流偏置电路;其特征在于:该具有宽温工作增益自动控制功能的CMOS射频接收前端还包括增益自动控制电路,该射频单端‑差分转换电路、该本振单端‑差分转换电路分别将输入的单端接收信号和本振信号转换为差分信号,驱动该Gilbert混频电路中所设计的双平衡Gilbert混频器,该混频器的差分输出接到该可变增益放大器,然后通过该输出驱动电路进行差分‑单端转换,最后中频输出;该电流偏置电路输出五路基准电流I<sub>ref1</sub>~I<sub>ref5</sub>,分别送至该Gilbert混频电路、该可变增益放大器、该输出驱动电路、该增益自动控制电路的尾电流管电路进行电流偏置;该增益自动控制电路包括误差放大器和电压相加电路,该电压相加电路包括电阻R<sub>1</sub>~R<sub>5</sub>,该误差放大器包括MOS管M<sub>1</sub>~M<sub>6</sub>、双极晶体管Q<sub>1</sub>、电阻R<sub>6</sub>~R<sub>7</sub>、双向常开开关k;MOS管M<sub>6</sub>的源极连接该电流偏置电路接收基准电流I<sub>ref5</sub>,MOS管M<sub>6</sub>的漏极接地,MOS管M<sub>6</sub>的栅极连接MOS管M<sub>5</sub>的栅极,MOS管M<sub>5</sub>的漏极接地,MOS管M<sub>5</sub>的源极、MOS管M<sub>1</sub>的漏极、MOS管M<sub>2</sub>的漏极三者连接,MOS管M<sub>1</sub>的栅极、电阻R<sub>6</sub>的一端、电阻R<sub>7</sub>的一端三者连接,电阻R<sub>7</sub>的另一端电性接地,电阻R<sub>6</sub>的另一端连接电源VDD,MOS管M<sub>1</sub>的源极连接MOS管M<sub>3</sub>的漏极,MOS管M<sub>3</sub>的源极连接电源VDD,MOS管M<sub>3</sub>的栅极连接MOS管M<sub>3</sub>的漏极且还连接MOS管M<sub>4</sub>的栅极,MOS管M<sub>4</sub>的源极连接电源VDD,MOS管M<sub>4</sub>的漏极连接MOS管M<sub>2</sub>的源极且还连接双向常开开关k的常开触点Ka,MOS管M<sub>2</sub>的栅极连接双极晶体管Q<sub>1</sub>的发射极,双极晶体管Q<sub>1</sub>的基极连接双极晶体管Q<sub>1</sub>的集电极,双极晶体管Q<sub>1</sub>的集电极接地,双极晶体管Q<sub>1</sub>的发射极还连接该电流偏置电路接收基准电流I<sub>ref4</sub>,电阻R<sub>2</sub>的两端K<sub>1</sub>、K<sub>2</sub>分别连接双向常开开关k的常开触点Kb、固定触点Kc,电阻R<sub>2</sub>的一端K<sub>1</sub>经由电阻R<sub>1</sub>连接电源VDD,电阻R<sub>2</sub>的另一端K<sub>2</sub>经由电阻R<sub>3</sub>接地还依次经由电阻R<sub>4</sub>、电阻R<sub>5</sub>连接外接电压VC,电阻R<sub>4</sub>与电阻R<sub>5</sub>之间引出电压控制端V<sub>cont</sub>,电压控制端V<sub>cont</sub>连接该可变增益放大器用于调节该可变增益放大器;该Gilbert混频电路包括CMOS管M<sub>7</sub>~M<sub>14</sub>、电阻R<sub>8</sub>、电阻R<sub>9</sub>,CMOS管M<sub>7</sub>、CMOS管M<sub>8</sub>的栅极分别连接该射频单端‑差分转换电路的正输出端与负输出端,CMOS管M<sub>7</sub>、CMOS管M<sub>8</sub>的漏极均连接CMOS管M<sub>14</sub>的源极,CMOS管M<sub>14</sub>的漏极接地,CMOS管M<sub>14</sub>的栅极连接CMOS管M<sub>13</sub>的栅极与源极,CMOS管M<sub>13</sub>的漏极接地,CMOS管M<sub>13</sub>的源极连接该电流偏置电路接收基准电流I<sub>ref1</sub>,CMOS管M<sub>7</sub>的源极连接CMOS管M<sub>9</sub>、CMOS管M<sub>10</sub>的漏极,CMOS管M<sub>8</sub>的源极连接CMOS管M<sub>11</sub>、CMOS管M<sub>12</sub>的漏极,CMOS管M<sub>9</sub>、CMOS管M<sub>11</sub>的源极均经由电阻R<sub>8</sub>连接电源VDD,CMOS管M<sub>10</sub>、CMOS管M<sub>12</sub>的源极均经由电阻R<sub>9</sub>连接电源VDD,CMOS管M<sub>10</sub>、CMOS管M<sub>11</sub>的栅极均连接于该本振单端‑差分转换电路的负输出端,CMOS管M<sub>9</sub>、CMOS管M<sub>12</sub>的栅极均连接该本振单端‑差分转换电路的正输出端;该可变增益放大器包括CMOS管M<sub>15</sub>~M<sub>20</sub>、电阻R<sub>10</sub>、电阻R<sub>11</sub>、电容C<sub>1</sub>、电容C<sub>2</sub>,CMOS管M<sub>15</sub>的栅极经由电容C<sub>1</sub>连接CMOS管M<sub>9</sub>的源极,CMOS管M<sub>16</sub>的栅极经由电容C<sub>2</sub>连接CMOS管M<sub>12</sub>的源极,CMOS管M<sub>15</sub>、CMOS管M<sub>16</sub>的漏极均连接CMOS管M<sub>20</sub>源极,CMOS管M<sub>20</sub>的漏极接地,CMOS管M<sub>20</sub>的栅极连接CMOS管M<sub>19</sub>的栅极与源极,CMOS管M<sub>19</sub>的漏极接地,CMOS管M<sub>19</sub>的源极连接该电流偏置电路接收基准电流I<sub>ref2</sub>,CMOS管M<sub>15</sub>的源极连接CMOS管M<sub>17</sub>的漏极,CMOS管M<sub>16</sub>的源极连接CMOS管M<sub>18</sub>的漏极,CMOS管M<sub>17</sub>的源极经由电阻R<sub>10</sub>连接电源VDD,CMOS管M<sub>18</sub>的源极、经由电阻R<sub>11</sub>连接电源VDD;该输出驱动电路包括CMOS管M<sub>21</sub>~M<sub>24</sub>、电阻R<sub>12</sub>、电容C<sub>3</sub>、电容C<sub>4</sub>,CMOS管M<sub>21</sub>的栅极经由电容C<sub>4</sub>连接CMOS管M<sub>18</sub>的源极,CMOS管M<sub>22</sub>的栅极经由电容C<sub>3</sub>连接CMOS管M<sub>17</sub>的源极,CMOS管M<sub>21</sub>的源极与CMOS管M<sub>22</sub>的漏极连接实现中频输出,CMOS管M<sub>22</sub>的源极经由电阻R<sub>12</sub>连接电源VDD,CMOS管M<sub>21</sub>的漏极连接CMOS管M<sub>24</sub>的源极,CMOS管M<sub>24</sub>的漏极接地,CMOS管M<sub>24</sub>的栅极连接CMOS管M<sub>23</sub>的栅极,CMOS管M<sub>23</sub>的栅极还连接CMOS管M<sub>23</sub>的源极,CMOS管M<sub>23</sub>的漏极接地,CMOS管M<sub>23</sub>的源极连接该电流偏置电路接收基准电流I<sub>ref3</sub>。
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