半导体装置

摘要

本说明书公开了一种半导体装置，其在半导体基板上形成有至少包含IGBT区域的元件区域。IGBT区域具备集电层、漂移层、体层、被配置在从半导体基板的表面到达至漂移层的沟槽的内部的栅电极、发射层、与体层相比杂质浓度较高的接触层。在该半导体装置中，在将沿着半导体基板的表面且沟槽延伸的方向设为X方向，将沿着半导体基板的表面且与X方向正交的方向设为Y方向时，从接触层至发射层的X方向上的间隔与从接触层至沟槽的Y方向上的间隔相比较大。

主权项

一种半导体装置，其为在半导体基板上形成有至少包含绝缘栅双极型晶体管区域的元件区域的半导体装置，其中，在半导体基板的表面上设置有表面电极，在半导体基板的背面上设置有背面电极，绝缘栅双极型晶体管区域具备：第一导电型的集电层，其与背面电极相接；第二导电型的漂移层，其相对于集电层而被设置在半导体基板的表面侧；第一导电型的体层，其相对于漂移层而被设置在半导体基板的表面侧，并与表面电极相接；栅电极，其被配置在从半导体基板的表面到达至漂移层的沟槽的内部，并通过绝缘膜而与半导体基板及表面电极绝缘；第二导电型的发射层，其被设置在体层与表面电极之间，并与栅电极的绝缘膜及表面电极相接；第一导电型的接触层，其被设置在体层与表面电极之间，并与表面电极相接，且与体层相比杂质浓度较高，在将沿着半导体基板的表面且沟槽延伸的方向设为X方向，将沿着半导体基板的表面且与X方向正交的方向设为Y方向时，从接触层至发射层的X方向上的间隔与从接触层至沟槽的Y方向上的间隔相比较大。