发明名称 Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路
摘要 一种Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路,其特征在于:包括第一组高频自激推挽振荡电路、第二组高频自激推挽振荡电路、MCU、“日”字型磁芯的磁集成变压器TR和MCU供电取样电路,第一组高频自激推挽振荡电路的绕组N11和绕组N12分别绕在磁集成变压器TR的一个边柱上,第二组高频自激推挽振荡电路的绕组N14和绕组N13分别绕在磁集成变压器TR的另一个边柱上,MCU供电取样电路的绕组NV绕在磁集成变压器TR的中柱上,MCU供电取样电路根据绕组NV产生的感应电信号给MCU提供电能和取样信号,MCU对接收到的取样信号进行处理,并根据处理后的信息控制开关管T1和开关管T2的工作。本发明具有降低发热、输出电流低纹波、高功率因数、高电功效率和成本低等优点。
申请公布号 CN104993689A 申请公布日期 2015.10.21
申请号 CN201510403438.9 申请日期 2015.07.11
申请人 深圳创智慧能电子科技有限公司 发明人 王桂风;王桂光;李智慧
分类号 H02M1/42(2007.01)I;H02M7/217(2006.01)I;H02M3/337(2006.01)I 主分类号 H02M1/42(2007.01)I
代理机构 深圳市金笔知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 44297 代理人 胡清方;彭友华
主权项 一种Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路,其特征在于:包括第一组高频自激推挽振荡电路、第二组高频自激推挽振荡电路、MCU、“日”字型磁芯的磁集成变压器TR和MCU供电取样电路,所述第一组高频自激推挽振荡电路的绕组N11和绕组N12分别绕在所述磁集成变压器TR的一个边柱上,所述第二组高频自激推挽振荡电路的绕组N14和绕组N13分别绕在所述磁集成变压器TR的另一个边柱上,所述第一组高频自激推挽振荡电路和所述第二组高频自激推挽振荡电路的输入端分别与交流电源Uin的两端电性连接,所述MCU通过开关管T1和开关管T2分别调控所述第一组高频自激推挽振荡电路和所述第二组高频自激推挽振荡电路的APFC过程;所述MCU供电取样电路的绕组NV绕在所述磁集成变压器TR的中柱上,所述MCU供电取样电路根据所述绕组NV产生的感应电信号给所述MCU提供电能和取样信号,所述MCU对接收到的取样信号进行处理,并根据处理后的信息控制所述开关管T1和所述开关管T2的工作。
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