| 发明名称 | 氧化物薄膜晶体管及其制备方法和反相器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法和反相器及其制备方法，其中氧化物薄膜晶体管包括：衬底、栅介质层、氧化物沟道层、源电极、漏电极和覆盖层；栅介质层位于衬底的上方；氧化物沟道层位于栅介质层的上方；源电极和所述漏电极均至少部分位于氧化物沟道层的上方；覆盖层位于氧化物沟道层的上方，且位于源电极和漏电极之间；其中，覆盖层为金属氧化物薄膜。其通过在氧化物薄膜晶体管的氧化物沟道层上方增加设置一层金属氧化物薄膜作为覆盖层，实现金属氧化物薄膜对氧化物沟道层表面态的钝化，进而有效改善氧化物薄膜晶体管的性能。同时，还简化了制备工艺，降低了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104992981A | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201510274195.3 | 申请日期 | 2015.05.26 |
| 申请人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明人 | 曹鸿涛;王妹;梁凌燕;张胜男;罗浩;李秀霞 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 郑小粤 |
| 主权项 | 一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底、栅介质层、氧化物沟道层、源电极、漏电极和覆盖层；所述栅介质层位于所述衬底的上方；所述氧化物沟道层位于所述栅介质层的上方；所述源电极和所述漏电极均至少部分位于所述氧化物沟道层的上方；所述覆盖层位于所述氧化物沟道层的上方，且位于所述源电极和所述漏电极之间；其中，所述覆盖层为金属氧化物薄膜。 | ||
| 地址 | 315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号 | ||