发明名称 |
一种具有良好导电性能的晶体硅太阳电池表面钝化层及钝化方法 |
摘要 |
本发明公开了一种具有良好导电性能的晶体硅太阳电池的表面钝化层,所述的表面钝化层为设置在晶体硅太阳电池前表面和/或背表面的具有电介质-金属-电介质结构的复合薄膜叠层钝化层,所述的复合薄膜叠层钝化层包括第一层介质薄膜、第二层介质薄膜以及设于第一层介质薄膜和第二层介质薄膜之间的金属薄膜中间层。该表面钝化层具有电介质-金属-电介质的叠层结构,可以实现载流子向介质层注入,在具有良好钝化效果的同时实现了表面钝化结构的电流传输功能。还公开了利用增强导电性的表面钝化层实现晶体硅太阳电池表面钝化的方法。 |
申请公布号 |
CN104992988A |
申请公布日期 |
2015.10.21 |
申请号 |
CN201510351810.6 |
申请日期 |
2015.06.24 |
申请人 |
中山大学 |
发明人 |
沈辉;李圣浩;但易 |
分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I |
代理机构 |
广州知友专利商标代理有限公司 44104 |
代理人 |
李海波;刘艳丽 |
主权项 |
一种具有良好导电性能的晶体硅太阳电池的表面钝化层,其特征是:所述的表面钝化层为设置在晶体硅太阳电池前表面和/或背表面的具有电介质‑金属‑电介质结构的复合薄膜叠层钝化层,所述的复合薄膜叠层钝化层包括第一层介质薄膜、第二层介质薄膜以及设于第一层介质薄膜和第二层介质薄膜之间的金属薄膜中间层。 |
地址 |
510275 广东省广州市海珠区新港西路135号 |