具有MOM电容器的集成电路及其制造方法

摘要

一种集成电路，可以包括与诸如finFET的其他器件同时形成的MOM电容器。形成在基板上的介电层中具有第一半导体鳍片和第二半导体鳍片。去除鳍片的相应顶部以在介电层中形成相应的凹槽。第一电极和第二电极以及中间的介电层形成MOM电容器。本发明提供具有MOM电容器的集成电路及其制造方法。

主权项

一种集成电路，包括：电容器，所述电容器包括：衬底；电容器介电层，位于所述衬底的主表面上，所述电容器介电层中具有第一凹槽和第二凹槽；第一半导体鳍片，延伸自所述衬底的主表面，位于所述第一凹槽内；第一电容器电极，位于所述第一凹槽内和所述第一半导体鳍片的顶上；第二半导体鳍片，延伸自所述衬底的所述主表面并位于所述第二凹槽内；以及第二电容器电极，位于所述第二凹槽内和所述第二半导体鳍片的顶上。