记忆体阵列的程序化方法

摘要

本发明是有关于一种记忆体阵列的程序化方法，其中，记忆体阵列包括由第一晶体管、多个记忆胞与第二晶体管串接而成的记忆胞串，且记忆体阵列的程序化方法包括下列步骤。在设定阶段内，关闭这些记忆胞中的切换记忆胞，并施加第一电压与第二电压至切换记忆胞的第一源极/漏极区与第二源极/漏极区。在程序化阶段内，浮接与记忆胞串相连的位元线，并提供斜波信号至与切换记忆胞电性相连的字元线。本发明由于位元线在程序化阶段内是处在浮接的状态，故可降低流经记忆胞串的电流。另外，本发明还可藉由位元线在浮接状态下所贡献的等效电容，来致使位于不同字元线上的选定记忆胞皆具有相同的程序化速度，进而有助于增加记忆体阵列的可靠性与整体效能。

主权项

一种记忆体阵列的程序化方法，其特征在于其中该记忆体阵列包括由一第一晶体管、多个记忆胞与一第二晶体管串接而成的一记忆胞串，一电容电性连接与该记忆胞串相连的一位元线，该电容远大于该记忆胞串所贡献的通道电容，且该电容是该位元线的等效电容，或者是由额外所配置的附加电容与该位元线的等效电容所构成，该记忆体阵列的程序化方法包括以下步骤：在一设定阶段内，关闭该些记忆胞中的一切换记忆胞，并施加一第一电压与一第二电压至该切换记忆胞的一第一源极/漏极区与一第二源极/漏极区；以及在一程序化阶段内，浮接该位元线，并提供一斜波信号至与该切换记忆胞电性相连的一字元线。