发明名称 |
半导体镀膜设备控温系统 |
摘要 |
半导体镀膜设备控温系统,包括加热盘,加热盘为一体式结构,加热盘内部并不是普通的加热丝结构,而是设置有媒介管道实现对加热盘温度的控制。上述的加热结构采用将媒介管道以铸造的方式布置在加热盘内部或采用机械加工的方式加工出相应的沟槽,再将媒介管道焊接在加热盘内。上述媒介管道结构按涡旋排布,尽量使媒介管路布局均匀,以更好的实现温度控制。在加热盘中部设有进气通道,将导热介质通入加热盘与晶圆之间,并在其间形成一定的气隙,因传热介质的热传导效果较好,可使加热盘的温度快速、均匀的传导到晶圆,或是将晶圆的温度迅速的传导至加热盘上导出。通过合理的通气结构设计,使得导热介质能够快速、均匀的在空隙中流动,及时实现加热盘及晶圆的热交换。 |
申请公布号 |
CN104988472A |
申请公布日期 |
2015.10.21 |
申请号 |
CN201510357861.X |
申请日期 |
2015.06.25 |
申请人 |
沈阳拓荆科技有限公司 |
发明人 |
吕光泉;吴凤丽;国建花;郑英杰 |
分类号 |
C23C16/52(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/52(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 |
代理人 |
甄玉荃;霍光旭 |
主权项 |
半导体镀膜设备控温系统,其特征在于:该系统包括加热盘,加热盘为一体式结构,加热盘内部设有媒介管道,所述媒介管道以铸造的方式布置在加热盘内部或采用机械加工的方式加工出相应的沟槽,再将媒介管道焊接在加热盘内,除了上述结构,还具有热传导介质流通结构,在加热盘中部设有进气通道。 |
地址 |
110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1-1号三层 |