氮化硅膜致应变的锗锡中红外LED器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氮化硅膜致应变的锗锡中红外LED器件及其制备方法，该红外LED器件包括硅衬底以及设置在硅衬底上的锗缓冲层，锗缓冲层上从左往右依次设有铝电极、横向P-I-N锗锡层、氮化硅层和铝电极，所述锗锡P-I-N结构上方淀积有氮化硅薄膜。本发明兼容了CMOS工艺，克服了目前高锡组分含量的锗锡合金生长困难的问题，且能通过调整氮化硅膜的结构改变张应力大小以实现锗锡材料光源对不同波长光的需求，具有较高的光电转换效率，光稳定性，加工简单、方便，为实现片上光源提供一个具体的结构和实施方案。

主权项

氮化硅膜致应变的锗锡中红外LED器件，其特征在于，包括硅衬底以及设置在硅衬底上的锗缓冲层，锗缓冲层上从左往右依次设有铝电极、横向P‑I‑N锗锡层、氮化硅层和铝电极，所述锗锡P‑I‑N结构上方淀积有氮化硅薄膜。