| 发明名称 |
导电膜形成方法及烧结促进剂 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI505298 |
申请公布日期 |
2015.10.21 |
| 申请号 |
TW102123239 |
申请日期 |
2013.06.28 |
| 申请人 |
日本石原化学股份有限公司 |
发明人 |
川户佑一;前田佑介;工藤富雄 |
| 分类号 |
H01B5/14;H01B13/00;B32B37/26 |
主分类号 |
H01B5/14 |
| 代理机构 |
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代理人 |
周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼 |
| 主权项 |
一种导电膜形成方法，其中利用光烧结来形成导电膜，该导电膜形成方法包含下列步骤：在基板上形成一由烧结促进剂所制成之层，在该烧结促进剂所制成之层上形成一由铜微粒分散剂所制成之液态膜；使该液态膜乾燥，以形成铜微粒层，以及使该铜微粒层进行光烧结，其中该烧结促进剂系自金属铜移除氧化铜之化合物。
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| 地址 |
日本 |
