发明名称 氧化铝之成膜方法及溅镀装置
摘要
申请公布号 TWI504773 申请公布日期 2015.10.21
申请号 TW102145671 申请日期 2013.12.11
申请人 斯克林集团公司 发明人 尾崎一人
分类号 C23C14/35;C23C14/08;H01L31/18 主分类号 C23C14/35
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种氧化铝之成膜方法,其系于设置有形成静磁场之磁控阴极之真空容器中,将溅镀气体及氧气之反应性气体以该真空容器内之压力达到目标压力之方式进行控制并导入,对设置于该阴极之铝靶进行溅镀,于与该铝靶对向之矽基板上形成氧化膜;且包括以下步骤:第1电浆产生步骤,其系于导入有上述溅镀气体及上述反应性气体之真空容器内产生电浆;第2电浆产生步骤,其系对上述铝靶施加负电压、包含负电压及正电压之直流脉冲、及交流之任一种溅镀电压,藉由上述静磁场而产生磁控电浆;及控制步骤,其控制导入至上述真空容器内之上述反应性气体之导入量;且上述第2电浆产生步骤系将上述溅镀电压进行定电压控制之步骤;上述控制步骤系以流动于上述磁控阴极之溅镀电流值达到目标电流值之方式,控制上述第2电浆产生步骤中上述反应性气体之导入量之步骤;上述第1电浆产生步骤系使用设置于上述真空容器内且包含卷数未达一圈之导体之高频天线,至少于上述第2电浆产生步骤中产生高频电感耦合电浆之步骤。
地址 日本