| 主权项 |
一种矽蚀刻液，系用于一电晶体之制造方法，该电晶体之制造方法具有如下特征：使用在基板上至少具有虚拟闸极(dummy gate)叠层体、设置成将该叠层体之侧面予以包覆的侧壁、以及设置成将该侧壁予以包覆之层间绝缘膜的结构体，其中，该虚拟闸极叠层体，系叠层高介电材料膜与由矽构成的虚拟闸极而构成；且将该虚拟闸极取代为包含铪、锆、钛、钽、或钨的金属闸极；该矽蚀刻液，用于该电晶体之制造方法中该由矽构成的虚拟闸极之蚀刻，并实质上由0.1~40重量%的选自于氨、二胺及以通式(1)表示之聚胺中之至少一种的硷性化合物、0.01~40重量%的选自于以通式(2)表示之多元醇、以通式(3)表示之多元醇、以通式(4)表示之环状多元醇以及不具有还原性的糖类中之至少一种的多元醇、以及40~99.89重量%的水构成；H2N-(CH2CH2NH)k-H....(1)(k为2~5的整数)；H-(CH(OH))l-R.....(2)(l为2~6的整数，R为氢或烷基)；C-((CH2)mOH)4....(3)(m为1或2)；(CH(OH))n....(4)(n为3~8的整数)。 |
