一种垂直型恒流二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种垂直型恒流二极管及其制造方法。本发明的直型恒流二极管，包括依次层叠设置的氧化层、高掺杂N型外延层、轻掺杂N型外延层、重掺杂N+衬底和金属阳极，其特征在于，还包括有依次连接的元胞结构、终端结构和截止环，所述元胞结构由多个结构相同并依次连接的元胞组成，所述终端结构由多个结构相同并依次连接的终端组成。本发明的有益效果为，具备容易夹断，且夹断电压可低至5V以下的优点，同时夹断点随电压增大变化更慢，恒定电流更稳定，器件设计更灵活，结构更合理，能省去额外的光刻板，节省了制造成本。本发明尤其适用于恒流二极管。

主权项

一种垂直型恒流二极管，包括依次层叠设置的氧化层(7)、高掺杂N型外延层(6)、轻掺杂N型外延层(2)、重掺杂N+衬底(1)和金属阳极(8)，其特征在于，还包括有依次连接的元胞结构、终端结构和截止环，所述元胞结构由多个结构相同并依次连接的元胞组成，所述元胞包括第一金属阴极(3)、第一N+重掺杂区(4)和第一P+重掺杂扩散区(5)，所述第一P+重掺杂扩散区(5)为两个并分别位于元胞的两端，所述第一P+重掺杂扩散区(5)贯穿高掺杂N型外延层(6)并延伸至轻掺杂N型外延层(2)中，所述第一N+重掺杂区(4)设置在两个第一P+重掺杂扩散区(5)之间并嵌入位于两个第一P+重掺杂扩散区(5)之间的高掺杂N型外延层(6)的上表面，所述第一金属阴极(3)覆盖在第一N+重掺杂区(4)和第一P+重掺杂扩散区(5)的上表面并完全贯穿氧化层(7)，同时形状为沟槽形状，两端的沟槽延伸至第一P+重掺杂扩散区(5)中，所述终端结构由多个结构相同并依次连接的终端组成，所述终端包括第二金属阴极(31)和第二P+重掺杂扩散区(51)，所述第二P+重掺杂扩散区(51)位于靠近元胞结构的一端，贯穿高掺杂N型外延层(6)并延伸至轻掺杂N型外延层(2)中，两个相邻的第二P+重掺杂扩散区(51)之间有一定间距，所述第二金属阴极(31)为沟槽形状，沟槽部分贯穿部分氧化层(7)并延伸至第二P+重掺杂扩散区(51)中，第二金属阴极(31)和第二P+重掺杂扩散区(51)构成场限环，所述截止环包括嵌入轻掺杂N型外延层(2)端部上表面的第二N+重掺杂区(41)形成，第二N+重掺杂区(41)上表面覆盖氧化层(7)，所述元胞结构、终端结构和截止环之间有一定间距。