| 发明名称 | 具有自旋霍尔MTJ器件的交叉点阵列MRAM | ||
| 摘要 | 描述了实施基于自旋霍尔磁性隧道结(MTJ)的器件的交叉点阵列磁阻随机存取存储器(MRAM)以及这样的阵列的操作方法。例如，用于非易失性存储器的位单元包括设置在衬底上方的磁性隧道结(MTJ)叠置体，磁性隧道结叠置体具有设置在电介质层上方的自由磁性层，电介质层被设置在固定磁性层上方。位单元还包括设置在MTJ叠置体的自由磁性层上方的自旋霍尔金属电极。 | ||
| 申请公布号 | CN104995682A | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201380073013.5 | 申请日期 | 2013.03.14 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | S·马尼帕特鲁尼;D·E·尼科诺夫;I·A·扬 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王英;陈松涛 |
| 主权项 | 一种用于非易失存储器的位单元，所述位单元包括：设置于衬底上方的磁性隧道结(MTJ)叠置体，所述磁性隧道结叠置体包括设置于电介质层上方的自由磁性层，所述电介质层被设置在固定磁性层上方；以及设置于所述MTJ叠置体的所述自由磁性层上方的自旋霍尔金属电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||