基板处理方法以及基板处理装置

摘要

本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括：SPM供给工序，将高温的SPM供给到基板的上表面；DIW供给工序，在SPM供给工序之后，通过将室温的DIW供给到基板的上表面，来冲洗残留在基板上的液体；双氧水供给工序，在SPM供给工序后且在DIW供给工序前，在SPM残留在基板上的状态下，将液温比SPM的温度低且室温以上的双氧水供给到基板的上表面的双氧水供给工序；以与双氧水供给工序并行的方式，将高温的纯水供给到基板的下表面的温度降低抑制工序。

主权项

一种基板处理方法，其特征在于，包括：药液供给工序，将第1温度的药液供给到基板的主面，冲洗液供给工序，在所述药液供给工序之后，通过将比第1温度低的第2温度的冲洗液供给到基板的主面，来冲洗残留在基板上的液体，反应液供给工序，在所述药液供给工序后且所述冲洗液供给工序前，在所述药液供给工序中供给到基板的药液残留在基板上的状态下，向基板的主面供给反应液，该反应液能够通过与药液混合发生发热反应，且该反应液的液温比第1温度低且在第2温度以上，温度降低抑制工序，以与所述反应液供给工序并行的方式，将温度比第1温度低且比反应液的液温高的加热流体供给到基板的另一个主面，所述基板的另一个主面是与基板的在所述药液供给工序中被供给药液的主面一侧相反的一侧的主面。