| 发明名称 |
闸极堆叠结构及包含其之金属氧化物半导体元件及闸极堆叠结构之制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI505468 |
申请公布日期 |
2015.10.21 |
| 申请号 |
TW101145311 |
申请日期 |
2012.12.03 |
| 申请人 |
国立交通大学 |
发明人 |
林岳钦;张翼;庄庭维 |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L29/40 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
| 主权项 |
一种电晶体之闸极堆叠结构，包含：一基板；一半导体层，设置于该基板上；一闸极介电层，设置于该半导体层上，其中该闸极介电层系包含由氧化镧(La2O3)、氧化铪(HfO2)及包含氧化镧/氧化铪之该半导体层之一上表面层所组成之复合氧化物层；以及一闸极电极层，设置于该闸极介电层上。
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| 地址 |
新竹市大学路1001号 |
