发明名称 一种卷积交织方法和卷积交织器
摘要 本发明公开了一种卷积交织方法和装置,包括:将卷积交织的每一个支路在SDRAM中的地址偏移初始化为B-1;进行卷积交织时:将卷积交织的每一个支路的初始化地址加上该支路的当前地址偏移,作为该支路的数据在SDRAM中的实际存取地址;当所述卷积交织中的第i支路在SDRAM中的地址偏移等于(i-1)×M时,将该第i支路的地址偏移复位为B-1;其中,B为所述卷积交织的总支路数,i为大于等于2且小于等于B的正整数,M为所述卷积交织的交织深度。本发明实现了卷积交织过程中各个支路之间较低的地址跳变,大大减少了在SDRAM中访问数据时地址的跨区间跳变,进而实现高效的时域卷积交织,处理一个超帧所用的时钟周期明显减少,对比现有设计,提升吞吐率可达到64%。
申请公布号 CN104993837A 申请公布日期 2015.10.21
申请号 CN201510442028.5 申请日期 2015.07.24
申请人 丽水博远科技有限公司 发明人 罗彬;项桂英
分类号 H03M13/27(2006.01)I 主分类号 H03M13/27(2006.01)I
代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人 牛峥;王丽琴
主权项 一种卷积交织方法,用于SDRAM存储器,该方法包括:将卷积交织的每一个支路在SDRAM中的地址偏移初始化为B‑1;进行卷积交织时:将所述卷积交织的每一个支路的初始化地址加上该支路的当前地址偏移,作为该支路的数据在SDRAM中的实际存取地址;当所述卷积交织中的第i支路在SDRAM中的地址偏移等于(i‑1)×M时,将该第i支路的地址偏移复位为B‑1;其中,B为所述卷积交织的总支路数,i为大于等于2且小于等于B的正整数,M为所述卷积交织的交织深度。
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