发明名称 |
一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构 |
摘要 |
本发明属于太赫兹探测及成像领域,提供一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,应用于太赫兹探测系统中,位于太赫兹源与红外探测器之间;该结构包括透明衬底、透明衬底上依次设置的红外发射层、金属反射层和吸收层;所述吸收层由若干个“十”字型吸收单元周期性排列构成,每个吸收单元由相互交替设置的介质层和金属图形层构成,吸收单元顶层为金属图形层、与金属反射层之间为介质层。本发明的提供太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,能够在设计的THz频点达到太赫兹波吸收率90%(带宽1THz),同时实现将太赫兹辐射转换为红外辐射,供红外探测器工作,从而实现太赫兹探测,利用成熟的红外探测技术实现高分辨率和高灵敏度的太赫兹探测。 |
申请公布号 |
CN104993008A |
申请公布日期 |
2015.10.21 |
申请号 |
CN201510392318.3 |
申请日期 |
2015.07.06 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
王军;唐荣;陈沛成;谢盼云;吴雪飞;吴志明 |
分类号 |
H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/101(2006.01)I |
代理机构 |
电子科技大学专利中心 51203 |
代理人 |
李明光 |
主权项 |
一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,其特征在于,该器件结构包括透明衬底、透明衬底上依次设置的红外发射层、金属反射层和吸收层;所述吸收层由若干个“十”字型吸收单元周期性排列构成,每个吸收单元由相互交替设置的介质层和金属图形层构成,吸收单元顶层为金属图形层、与金属反射层之间为介质层。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |