发明名称 适用于激光显示的消相干准三维光子晶体超辐射光源
摘要 一种适用于激光显示的消相干准三维光子晶体超辐射光源,包括:一N型衬底;一N型光子晶体波导层,其制作在N型衬底上;一有源层,其制作在N型光子晶体波导层上;一P型波导层,其制作在有源层上,该P型波导层上面的中间有一凸起的脊形波导结构,该波导结构为P型横向限制层,该P型横向限制层横向开有多个狭槽,形成啁啾狭槽结构;一绝缘层,其制作在P型横向限制层两侧及横向的狭槽内;一N电极,其制作在绝缘层以及P型横向限制层上;一P电极,其制作在N型衬底的背面。本发明针对红绿蓝三基色激光对谱宽的需求,设计啁啾狭槽,以达到对不同波长的光都实现无散斑的投影显示。
申请公布号 CN104993376A 申请公布日期 2015.10.21
申请号 CN201510394504.0 申请日期 2015.07.07
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 郑婉华;张斯日古楞;王宇飞;齐爱谊
分类号 H01S5/343(2006.01)I 主分类号 H01S5/343(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 任岩
主权项 一种适用于激光显示的消相干准三维光子晶体超辐射光源,包括:一N型衬底;一N型光子晶体波导层,其制作在N型衬底上;一有源层,其制作在N型光子晶体波导层上;一P型波导层,其制作在有源层上,该P型波导层上面的中间有一凸起的脊形波导结构,该波导结构为P型横向限制层,该P型横向限制层横向开有多个狭槽,形成啁啾狭槽结构;一绝缘层,其制作在P型横向限制层两侧及横向的狭槽内;一N电极,其制作在绝缘层以及P型横向限制层上;一P电极,其制作在N型衬底的背面。
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