发明名称 发光二极体及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI505516 申请公布日期 2015.10.21
申请号 TW101141864 申请日期 2012.11.09
申请人 荣创能源科技股份有限公司 发明人 彭建忠;洪梓健;沈佳辉
分类号 H01L33/50 主分类号 H01L33/50
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极体,其包括基板、形成在该基板上之半导体层、形成在该半导体层上之透明导电层、包覆在透明导电层外层之透明保护层以及萤光粉层,其改进在于:所述透明保护层上沿朝向基板方向蚀刻形成有多个均匀间隔之孔洞,从而暴露出所述透明导电层,所述萤光粉层覆盖在该透明保护层上,并且不遮盖所述孔洞,半导体层藉由孔洞直接射出之第一波长之光和激发萤光粉层产生之第二波长之光混合形成白光,该半导体层的左右两端对应形成一p型金属电极和一n型金属电极,所述透明保护层包覆该p型金属电极和n型金属电极的边缘,该荧光粉层设置在该p型金属电极和n型金属电极之间并与p型金属电极及n型金属电极相对的内侧面相互间隔,该荧光粉层覆盖该透明保护层的部分表面。
地址 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号