发明名称 发光二极体
摘要
申请公布号 TWI505497 申请公布日期 2015.10.21
申请号 TW101112525 申请日期 2012.04.09
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 发明人 金元浩;李群庆;范守善
分类号 H01L33/02;H01L21/306;H01L33/20;H01L33/36 主分类号 H01L33/02
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极体,包括:一第一电极、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及一第二电极;所述第一电极、第一半导体层、活性层及第二半导体层依次层叠设置,且所述第一电极与所述第一半导体层电连接;所述第二电极与该第二半导体层电连接;所述第二半导体层远离活性层的表面为所述发光二极体的出光面;其改良在于,所述第二半导体层远离活性层的表面具有复数个第一三维奈米结构,该第一三维奈米结构为间隔设置的条形凸起结构,该条形凸起结构的横截面为弓形,所述第一三维奈米结构的高度为150奈米~200奈米,所述第一三维奈米结构的宽度为300奈米~400奈米,且相邻的两个第一三维奈米结构之间的距离为100奈米~200奈米。
地址 新北市土城区自由街2号
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