发明名称 | 发光二极体 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI505497 | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
申请号 | TW101112525 | 申请日期 | 2012.04.09 |
申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 金元浩;李群庆;范守善 |
分类号 | H01L33/02;H01L21/306;H01L33/20;H01L33/36 | 主分类号 | H01L33/02 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种发光二极体,包括:一第一电极、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及一第二电极;所述第一电极、第一半导体层、活性层及第二半导体层依次层叠设置,且所述第一电极与所述第一半导体层电连接;所述第二电极与该第二半导体层电连接;所述第二半导体层远离活性层的表面为所述发光二极体的出光面;其改良在于,所述第二半导体层远离活性层的表面具有复数个第一三维奈米结构,该第一三维奈米结构为间隔设置的条形凸起结构,该条形凸起结构的横截面为弓形,所述第一三维奈米结构的高度为150奈米~200奈米,所述第一三维奈米结构的宽度为300奈米~400奈米,且相邻的两个第一三维奈米结构之间的距离为100奈米~200奈米。 | ||
地址 | 新北市土城区自由街2号 |