| 发明名称 | Ba<sub>8</sub>Ga<sub>16</sub>Ge<sub>30</sub>热电单晶的生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种Ba<sub>8</sub>Ga<sub>16</sub>Ge<sub>30</sub>热电单晶的生长方法，包括：按8.24～8.4：16：30的摩尔比配制Ba、Ga和Ge单质，置于石墨坩埚中抽真空封装于真空炉中，1100～1200℃下保温9～12小时，缓慢冷却至室温，得纯相Ba<sub>8</sub>Ga<sub>16</sub>Ge<sub>30</sub>多晶体；以及将纯相Ba<sub>8</sub>Ga<sub>16</sub>Ge<sub>30</sub>多晶体研磨成粉末，置于石墨坩埚、密封、放入坩埚下降炉中，抽真空，缓慢升温至1100～1200℃保温2～3小时使其全部熔融，以0.1～6.0mm/小时的坩埚下降速率调整石墨坩埚位置以使晶体生长的固液界面的温度梯度控制在20～60℃/cm进行单晶生长。采用坩埚下降法，可根据坩埚的形状和尺寸获得多种尺寸和形状的晶体。 | ||
| 申请公布号 | CN103160910B | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201110415867.X | 申请日期 | 2011.12.14 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 周燕飞;陈立东;吴汀 |
| 分类号 | C30B11/00(2006.01)I;C30B29/52(2006.01)I | 主分类号 | C30B11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 主权项 | 一种Ba<sub>8</sub>Ga<sub>16</sub>Ge<sub>30</sub>热电单晶的生长方法，其特征在于，包括：步骤A：按8.24～8.4：16：30的摩尔比配制Ba、Ga和Ge单质，置于石墨坩埚中并抽真空封装于真空炉中，于1100～1200℃下保温9～12小时，然后缓慢冷却至室温即得纯相Ba<sub>8</sub>Ga<sub>16</sub>Ge<sub>30</sub>多晶体；以及步骤B：将所得纯相Ba<sub>8</sub>Ga<sub>16</sub>Ge<sub>30</sub>多晶体研磨成粉末，置于石墨坩埚、密封石墨坩埚、放入坩埚下降炉中，抽真空，缓慢升温至1100～1200℃保温2～3小时使所述粉末全部熔融，以0.1～6.0mm/小时的坩埚下降速率来调整所述石墨坩埚的位置以使晶体生长的固液界面的温度梯度控制在20～60℃/cm的范围内进行单晶生长。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||