发明名称 | 一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法,包括如下步骤:步骤1:选择一衬底;步骤2:将衬底表面清洗干净;步骤3:在较低的生长温度下,在衬底表面沉积半导体非晶薄膜;其中,通过控制原子的沉积速率比,得到超饱和掺杂的半导体非晶薄膜;步骤4:利用超快激光对所得的超饱和掺杂半导体非晶薄膜进行激光退火,完成超饱和掺杂半导体薄膜的制备。本发明提出的上述制备方法中,应用分子束外延技术制备掺杂浓度均匀的超掺杂薄膜,所制备出的超饱和掺杂硅薄膜内杂质的深度分布很均匀。 | ||
申请公布号 | CN103268852B | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
申请号 | CN201310157821.1 | 申请日期 | 2013.05.02 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王科范;张华荣;彭成晓;曲胜春;王占国 |
分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
主权项 | 一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法,包括如下步骤:步骤1:选择一衬底;步骤2:将衬底表面清洗干净;步骤3:在室温下,在衬底表面沉积半导体非晶薄膜;其中,通过控制原子的沉积速率比,得到超饱和掺杂的半导体非晶薄膜;步骤4:利用纳秒激光对所得的超饱和掺杂半导体非晶薄膜进行激光退火,完成超饱和掺杂半导体薄膜;其中,所述衬底的材料为硅单晶片;步骤2中衬底的清洗方式包括化学清洗、氩离子清洗和超高真空热退火中的一种或多种组合方式,其用于去除衬底表面的各类污染物和氧化层;步骤3中利用超高真空分子束外延技术沉积所述半导体非晶薄膜。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |