氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法

摘要

一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，包括：在衬底上依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；减薄衬底；步骤3：在ITO层上面蒸度氧化硅保护膜；在衬底背面蒸度二氧化硅膜，并做出图形，腐蚀掉二氧化硅膜，形成外延片；刻蚀掉衬底上一侧的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层，形成台面；将刻蚀后的外延片衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，在衬底的背面腐蚀出沟槽；用激光器在台面上打通孔；在衬底上的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层的侧壁及通孔的侧壁制作绝缘层；在绝缘层上制作导电层，该导电层便覆盖部分ITO层；在ITO层的中心处制作P型电极，该P型电极与导电层连接；在衬底背面蒸度N电极，完成制备。

主权项

一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底上依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤2：减薄衬底，该衬底的材料为蓝宝石、Si、SiC、GaAs或玻璃；步骤3：在ITO层上面蒸度氧化硅保护膜；步骤4：在衬底背面蒸度二氧化硅膜，并做出图形，腐蚀掉二氧化硅膜，形成外延片；步骤5：刻蚀掉衬底上一侧的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层，形成台面；步骤6：将刻蚀后的外延片衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，在衬底的背面腐蚀出沟槽，该沟槽形状为V字形或矩形，沟槽的深度与衬底相同；所述浓硫酸∶浓磷酸＝3∶1，温度为200‑330℃，腐蚀时间为2‑10小时；步骤7：用激光器在台面上打通孔；步骤8：在衬底上的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层的侧壁及通孔的侧壁制作绝缘层；步骤9：在绝缘层上制作导电层，该导电层便覆盖部分ITO层；步骤10：在ITO层的中心处制作P型电极，该P型电极与导电层连接；步骤11：在衬底背面蒸度N电极，完成制备。