| 发明名称 | 用于eDRAM的选择晶体管中的背栅 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种eDRAM存储元件，其包括：第一存储节点(1120，1220)；位线节点(1040)，该位线节点(1040)用于存取存储在所述存储节点中的值；以及选择晶体管(1130，1230)，该选择晶体管(1130，1230)控制从位线节点到存储节点的存取，其中选择晶体管具有前栅(1132，1232)和背栅(4510，4511)。 | ||
| 申请公布号 | CN104995729A | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201380070597.0 | 申请日期 | 2013.12.12 |
| 申请人 | 索泰克公司 | 发明人 | G·恩德斯;F·霍夫曼 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G11C11/404(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 吕俊刚;刘久亮 |
| 主权项 | 一种eDRAM存储元件，其包括：第一存储节点(1120，1220)；位线节点(1040)，该位线节点(1040)用于存取存储在所述存储节点中的值；以及选择晶体管(1130，1230)，该选择晶体管(1130，1230)控制从所述位线节点到所述存储节点的存取，其中所述选择晶体管具有前栅(1132，1232)和背栅(3500，4510，4511，9500，10510‑10515)。 | ||
| 地址 | 法国伯尔宁 | ||