发明名称 一步脉冲激光沉积多层磁光薄膜的方法
摘要 一步脉冲激光沉积多层磁光薄膜的方法,涉及多层磁光薄膜制备工艺技术领域。它为了解决现有的方法制备的多层磁光薄膜会在薄膜内部形成大量的裂纹和缺陷及制备时间长的问题。充入气体的流量保持在5mTorr-25mTorr,利用脉冲激光沉积法,一步连续沉积两层或三层铁石榴石磁光薄膜,脉冲激光的能量密度为1.5J/cm<sup>2</sup>-2.5J/cm<sup>2</sup>,脉冲激光的频率为1Hz-20Hz,在温度为800℃以下及氧气氛下进行快速退火。本发明可用于沉积多层磁光薄膜,实现在光隔离器以及其它非互易光学器件上的集成应用。
申请公布号 CN104988470A 申请公布日期 2015.10.21
申请号 CN201510459328.4 申请日期 2015.07.30
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 孙学银;甄良;张雨薇
分类号 C23C16/48(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C30B25/10(2006.01)I;C30B29/28(2006.01)I 主分类号 C23C16/48(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人 岳昕
主权项 一步脉冲激光沉积多层磁光薄膜的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤一、将半导体基体放入真空腔体内,在温度为室温至700℃的条件下,待真空腔体内的真空度达到5×10<sup>‑5</sup>Torr‑1×10<sup>‑6</sup>Torr后,向真空腔体内充入气体,气体流量保持在5mTorr‑25mTorr;步骤二、利用脉冲激光沉积法,一步连续沉积两层或三层铁石榴石磁光薄膜,脉冲激光的能量密度为1.5J/cm<sup>2</sup>‑2.5J/cm<sup>2</sup>,脉冲激光的频率为1Hz‑20Hz;步骤三、将步骤二中沉积好的薄膜,在温度在800℃以下及氧气氛下进行快速退火,退火过程持续的时间为3分钟至5分钟。
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号