发明名称 |
单晶硅棒的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种根据CZ法提拉N区域单晶硅棒的单晶硅棒的制造方法,对来自N区域单晶硅棒的样本晶圆实施使氧析出物表面化的热处理,通过进行实施选择蚀刻测定EOSF密度的EOSF检查,和调查浅坑的发生图案的浅坑检查,在根据样本晶圆的缺陷区域的判定结果调整提拉条件,提拉下一个N区域单晶硅棒时,在所述缺陷区域的判定中,在N区域的情况下,也判定是Nv区域内或Ni区域内的哪个部分。由此,提供一种即使不良不发生,也能够根据样本晶圆的检查结果,调整根据CZ法的N区域单晶硅的提拉条件的制造方法。 |
申请公布号 |
CN104995340A |
申请公布日期 |
2015.10.21 |
申请号 |
CN201480008259.9 |
申请日期 |
2014.01.31 |
申请人 |
信越半导体株式会社 |
发明人 |
园川将;佐藤亘;三田村伸晃;太田友彦 |
分类号 |
C30B29/06(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
谢顺星;张晶 |
主权项 |
一种单晶硅棒的制造方法,其通过切克劳斯基单晶生长法控制提拉条件,提拉N区域单晶硅棒,其特征在于,对从所述提拉的N区域单晶硅棒切出的样本晶圆实施使氧析出物表面化的热处理,通过进行EOSF检查,即,实施选择蚀刻测定增强‑OSF密度,并且进行浅坑检查,即,调查该EOSF检查后的样本晶圆的浅坑的发生图案,来判定所述样本晶圆的缺陷区域,在根据该判定结果调整所述提拉条件,提拉下一个N区域单晶硅棒时,在所述缺陷区域的判定中,在所述缺陷区域为N区域的情况下,也判定是Nv区域内的哪个部分,或者是Ni区域内的哪个部分,根据该判定结果调整所述提拉条件。 |
地址 |
日本东京都 |